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Si7456DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.04
0.03
25 °C, unless otherwise noted
3500
3000
2500
C iss
V GS = 6.0
2000
0.02
0.01
0.00
V GS = 10 V
1500
1000
500
0
C rss
C oss
0
8
16
24
32
40
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 50 V
I D = 9.3 A
2.3
V GS = 10 V
I D = 9.3 A
8
2.0
6
4
1.7
1.4
1.1
2
0.8
0
0.5
0
6
12
18
24
30
36
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
0.06
I D = 9.3 A
10
0.04
1
T J = 25 °C
0.02
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71603
S09-0271-Rev. F, 16-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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